矽乙烷Disilane(Si2H6))相較於目前所用的矽甲烷Silane(SiH4)，其具有更高薄膜的緻密度(Density)，可大幅提升及改善沈積薄膜的平滑性(Smoothness)、連續性(Continuity)及良好摻雜兼容性(Dopants)及低沈積溫度之優勢，並且提高約10倍之成膜速率，大幅度提高生產效率等優勢，矽乙烷將成為重要並可協助高階世代產品及製程開發所必需的關鍵用料，如: 14奈米以下集成電路節點製程、三維閃存晶片(3D NAND)、動態隨機存儲記憶體(DRAM)、高階顯示屏(LTPS)、光伏電池(Solar Cell)等電子級半導體製程。
矽乙烷Disilane (Si2H6)為半導體先進製程及相關高階工藝製程之關鍵材料，矽乙烷被運用於奈米化製程中，利用化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition / CVD）在真空反應器內快速沈積以形成一致性的薄膜，並沉積薄膜於晶片表面。
CVD沈積原理
本公司產品為電子級之規格: 4N8
若需其相關規格之細節，歡迎與我們聯繫，謝謝。
