n-Si₄H₁₀ 正矽丁烷

正矽丁烷n-Tetrasilane(Si4H10)之薄膜緻密度(Density)、沈積薄膜的平滑性(Smoothness)、連續性(Continuity)及摻雜兼容性(Dopants)皆比矽乙烷Disilane(Si2H6)高約數十倍以上，正矽丁烷將會成為下一世紀半導體先進製程以及半導體儀器設備商之關鍵性原料。

目前正矽丁烷n-Tetrasilane(Si4H10)以先提供研究單位、開發單位、學術研究機構以及半導體儀器設備商為主。

CVD沈積原理

 

本公司產品為電子級之規格:  4N

若需其相關規格之細節，歡迎與我們聯繫，謝謝。