矽丙烷Trisilane(Si3H8)之薄膜緻密度(Density)、沈積薄膜的平滑性(Smoothness)、連續性(Continuity)及摻雜兼容性(Dopants)皆比矽乙烷Disilane(Si2H6)高約十倍以上，矽丙烷將成為下一階段半導體先進製程之關鍵性原料。
目前矽丙烷Trisilane(Si3H8)以先提供半導體先進製程、研究單位、開發單位、學術研究機構為主。
CVD沈積原理
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